RM6N800LD-T

מספר חלק
RM6N800LD-T
יצרן
Rectron
קטגוריות
MOSFET
RoHS
טופס מידע
תיאור
MOSFET D-PAK MOSFET

מפרטים

יצרן
Rectron
קטגוריות
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
6 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-252-3
Packaging
Reel
Pd - Power Dissipation
98 W
Qg - Gate Charge
24 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
900 mOhms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
800 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3 V

ביקורות אחרונות

Product well received and very quickly for France, all is in order in perfect condition. Thank you. I recommend this company.

Order received all the rules. Ощень мана quickly, to Yakutia 5 day, respect, not tupit. Packed in standard. Driver in the form of niche, soldering standards, not tested. And diode, he ordered. Orders joined fellow

Thank You all fine, packed very well

fast delivery

Long Service and Russia!

RM6Nמילות מפתח קשורות עבור

  • RM6N800LD-T משולב
  • RM6N800LD-T RoHS
  • RM6N800LD-T גיליון נתונים של PDF
  • RM6N800LD-T טופס מידע
  • RM6N800LD-T חלק
  • RM6N800LD-T קנה
  • RM6N800LD-T מפיץ
  • RM6N800LD-T PDF
  • RM6N800LD-T רכיב
  • RM6N800LD-T מעגלים משולבים
  • RM6N800LD-T הורד PDF
  • RM6N800LD-T הורד גיליון נתונים
  • RM6N800LD-T אספקה
  • RM6N800LD-T ספק
  • RM6N800LD-T מחיר
  • RM6N800LD-T טופס מידע
  • RM6N800LD-T תמונה
  • RM6N800LD-T תמונה
  • RM6N800LD-T מלאי
  • RM6N800LD-T המניה
  • RM6N800LD-T מקורי
  • RM6N800LD-T הכי זול
  • RM6N800LD-T מצוין
  • RM6N800LD-T ללא עופרת
  • RM6N800LD-T מפרט
  • RM6N800LD-T הצעות חמות
  • RM6N800LD-T מחיר הפסקה
  • RM6N800LD-T נתונים טכניים